电磁炉igbt的理解及电磁炉损坏IGBT功率管是什么原因
电磁炉igbt的理解及电磁炉损坏IGBT功率管是什么原因
电磁炉igbt是什么：
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
电磁炉损坏IGBT功率管主要原因分析：
笔者总结了以下八个原因，欢迎讨论。
原因一：0.3uF/1200V谐振电容、5uF/400V滤波电容损坏或容量不足
在电磁炉中，若0.3uF/1200V谐振电容、5uF/400V滤波电容容量变小、失效或特性不良，将导致电磁炉LC振荡电路频率偏高，从而引起功率管 IGBT管损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将0.3uF和5uF电容一起更换。
原因二：IGBT管激励电路异常
振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT管饱和、导通与截至，必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障，高电压就会加到IGBT 管的G极，导致IGBT管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。
原因三：同步电路异常
同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G极上的开关脉冲前沿与IGBT管上VCE脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时，导致IGBT管瞬间击穿损坏。
原因四：18V工作电压异常
在电磁炉中，当18B工作电压异常时会使IGBT管激励电路、风扇散热系统及LM339工作失常导致IGBT管上电瞬间损坏。
原因五：过热
电磁炉工作在大电流状态下,其发热量也大，如果散热系统出现异常会导致 IGBT管过热而损坏。
原因六：单片机异常
单片机内部异常会因工作频率异常而烧毁IGBT管。
原因七：VCE检测电路异常
VCE检测电路将IGBT管集电极上的脉冲电压通过电阻分压、取样获得其取样电压送入CPU，CPU检测该电压的变化，做出各种相应指令。当VCE检测电路异常时，VCE脉冲幅度值超过IGBT管极限值，从而导致IGBT管损坏。
原因八：用户锅具变形或锅底凹凸不平
在锅底产生的涡流不能均匀地使变形的锅具加热，从而使锅底温度传感器检温失常，CPU因检测不到异常温度而继续加热，导致功率管的损坏。
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